12月19日消息，曝中光刻機，國秘光刻似乎是密搞中國在高科技領域的最后一個攔路虎了！

據外媒報道，定第中國一家秘密實驗室已經悄然組裝出第一臺EUV極紫外光刻系統的機逆原型機，是向功通過逆向工程ASML現有的光刻機產品而來的，正處于秘密測試階段，曝中計劃2028年試產原型芯片。國秘光刻

如果消息屬實，密搞無疑是定第中國的一次飛躍式突破，短短數年就掌握了原本需要數十年的機逆技術。

消息稱，向功這一EUV光刻機原型是曝中2025年初在深圳一處安保嚴密的設施內組裝完成的，幾乎覆蓋了整個廠房。國秘光刻

它沒有采用清華大學研發的密搞基于粒子加速器的穩態微聚束(SSMB)技術，也沒有使用哈爾濱工業大學開發的放電等離子體(DPP)技術，而是和ASML Twinscan NXE系列光刻機相同的激光等離子體(LPP)技術，可產生波長為13.5納米的極紫外光。

外媒稱，這說明它使用了逆向工程手段，至少整合了大量由ASML首創的核心技術。

ASML LPP技術原理如下：

首先將直徑約25-30微米的熔融錫液滴，以每秒約5萬個的速度，注入真空腔體內。

隨后，一臺高功率二氧化碳激光器，向每個液滴發射一束低強度預脈沖激光，將液滴壓平成圓盤狀。

緊接著再發射一束能量更強的主脈沖激光，將被壓平的錫靶汽化，形成溫度超過20萬攝氏度的超高溫等離子體。

這種等離子體可發射出各向同性的極紫外光，隨后由大型多層膜收集鏡收集，并導入光刻機的反射光學系統，最終完成對硅晶圓的光刻成像。

這一過程每秒可重復數萬次。

報道指出，中國版EUV光刻機的體積顯著大于ASML同類產品，但已經具備極紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。

關鍵瓶頸在于，中國仍無法復刻出ASML的高精度光學系統，甚至無法將極紫外光精準投射到晶圓上，更談不上完成光刻成像。

同時，極紫外光源的功率指標也不清楚，這是決定光刻機能否實現量產的核心參數。

此外，超高精度收集鏡系統、照明光學系統、投影光學系統、晶圓存儲系統、晶圓臺、掩模臺等光刻機核心部件的研發進度，也均屬未知。

報道提到，中國EUV光刻機的研發團隊由前ASML工程師和應屆大學畢業生組成，不僅聘請了ASML中國分公司的前員工，還吸納了ASML在美國、歐洲、中國臺灣的前雇員。

比如曾負責ASML EUV光源技術的林楠，目前在中科院上海光學精密機械研究所帶領團隊開展研發，在短短18個月內就申請了8項EUV相關專利。

報道還強調，為了保密，團隊普遍都是用了假身份。

據說團隊的規劃是希望能在2028年，也就是未來兩三年內，產出首批芯片原型，但外媒認為2030年才是更現實的時間節點。

需要明確的是，高端光刻機的研發，離不開精密光源、先進光學、超高精度機械、復雜控制軟件、特種材料等多個領域技術的深度集成，而且所有系統都必須在納米級公差范圍內穩定、長期運行。

EUV光刻機更是極為龐雜，包含超過10萬個零部件，對其進行逆向復刻的難度堪比登天，需要幾百名具備專業知識的工程師協同攻關，也不一定能成功。

ASML在看到報道后也聲明稱：“想要復刻我們的技術，這一想法可以理解，但真正付諸實踐絕非易事。”

綜合來看，外媒的報道往往存在大量誤導甚至錯誤信息，大家看看就好。