發(fā)布時(shí)間:2025-11-28 06:07:09 來(lái)源:企業(yè)錄(www.qy6.com)-公司信息發(fā)布,網(wǎng)上買(mǎi)賣(mài)交易門(mén)戶 作者:焦點(diǎn)
11月26日消息,布新?lián)襟w報(bào)道,內(nèi)存Tachyum發(fā)布全新TDIMM內(nèi)存技術(shù),技術(shù)致力于為AI與高性能計(jì)算提供更高帶寬、單條帶寬達(dá)更大容量與更低能耗的布新解決方案。
該技術(shù)基于Prodigy Ultimate處理器平臺(tái)打造,內(nèi)存單條TDIMM帶寬可達(dá)281 GB/s,技術(shù)較當(dāng)前主流DDR5提升5.5倍。單條帶寬達(dá)Prodigy Ultimate處理器配備24個(gè)內(nèi)存通道,布新系統(tǒng)總帶寬高達(dá)6.7 TB/s,內(nèi)存約為12通道CPU的技術(shù)11倍。在容量方面,單條帶寬達(dá)TDIMM標(biāo)準(zhǔn)版本為256 GB,布新并可擴(kuò)展至512 GB的內(nèi)存“加高版”與1 TB的“超高版”設(shè)計(jì);若結(jié)合TSV硅通孔技術(shù),更可實(shí)現(xiàn)在單節(jié)點(diǎn)內(nèi)高達(dá)3 PB的技術(shù)總內(nèi)存容量。
接口設(shè)計(jì)上,TDIMM采用484pin封裝與206個(gè)信號(hào)引腳,較DDR5 RDIMM的288pin與146個(gè)信號(hào)僅增加38%,數(shù)據(jù)寬度卻從64位擴(kuò)展至128位。Tachyum指出,TDIMM所需DRAM數(shù)量比DDR5 RDIMM減少10%,成本預(yù)計(jì)降低約10%,其物理尺寸與標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DIMM兼容,僅需調(diào)整塑膠模具即可投產(chǎn)。
能耗方面,TDIMM單次激活18顆DRAM,低于DDR5 RDIMM的20顆;盡管高頻信號(hào)切換導(dǎo)致引腳功耗上升約30%,但通過(guò)采用更新型DRAM可使其功耗回落至DDR5 RDIMM水平。
Tachyum強(qiáng)調(diào),TDIMM技術(shù)無(wú)需等待DDR6標(biāo)準(zhǔn)到來(lái)即可實(shí)現(xiàn)帶寬翻倍,未來(lái)僅需對(duì)控制器稍作修改,即可在2027年實(shí)現(xiàn)13.5 TB/s帶寬,并于2028年進(jìn)一步擴(kuò)展至27 TB/s。
該公司計(jì)劃將TDIMM技術(shù)完全開(kāi)源,并向企業(yè)及標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC免費(fèi)授權(quán),以推動(dòng)其低成本與規(guī)模化應(yīng)用。
Tachyum創(chuàng)始人兼CEO Radoslav Danilak表示,TDIMM是實(shí)現(xiàn)在2028年將“覆蓋全部知識(shí)”的AI訓(xùn)練系統(tǒng)成本,從8萬(wàn)億美元與276吉瓦電力大幅削減至780億美元與1吉瓦的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。公司也將持續(xù)開(kāi)放其指令集架構(gòu)與軟件堆棧,并于今年公布更多開(kāi)源內(nèi)容。
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