發(fā)布時間:2025-11-28 08:19:32 來源:企業(yè)錄(www.qy6.com)-公司信息發(fā)布,網(wǎng)上買賣交易門戶 作者:焦點
11月20日消息,內(nèi)存Counterpoint的價格一份報告, 再次引發(fā)外界對內(nèi)存繼續(xù)漲價的全亂擔(dān)憂。
根據(jù) Counterpoint Research 最新發(fā)布的到底《GenAI 的內(nèi)存解決方案》雙周報告,內(nèi)存價格預(yù)計將在2026年Q2之前,內(nèi)存在當(dāng)前基礎(chǔ)上再上漲約50%。價格
據(jù)悉,全亂受關(guān)鍵芯片短缺影響,到底今年以來內(nèi)存價格已累計上漲50% 。內(nèi)存在此基礎(chǔ)上,價格內(nèi)存價格預(yù)計將在2025年Q4繼續(xù)上漲 30%,全亂并可能在明年初再上升約20%。到底
目前,內(nèi)存?zhèn)鹘y(tǒng) LPDDR4 面臨的價格漲價風(fēng)險最大。
當(dāng)前的全亂核心問題之一是傳統(tǒng)LPDDR4供給趨緊。為了滿足AI對先進(jìn)新品的強(qiáng)勁需求,供應(yīng)商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的工藝,導(dǎo)致整體市場結(jié)構(gòu)被打亂。
于是,現(xiàn)貨市場價格出現(xiàn)倒掛:服務(wù)器和PC使用的DDR5交易價格約為Gb 1.50 美元,而用于消費電子產(chǎn)品的老款 DDR4價格卻高達(dá)2.10美元(比DDR5貴了40%),甚至高于目前約1.70 美元的先進(jìn)HBM3e。
報告指出,當(dāng)前的芯片短缺主要集中在傳統(tǒng)產(chǎn)品端,這對使用LPDDR4的經(jīng)濟(jì)型智能手機(jī)等低價消費電子產(chǎn)品造成了影響。
“真正更大的風(fēng)險來自先進(jìn)內(nèi)存,英偉達(dá)近期轉(zhuǎn)向 LPDDR意味著其需求量已達(dá)到大型智能手機(jī)制造商的規(guī)模——這對供應(yīng)鏈來說是一個巨大的沖擊,因為它無法輕易消化如此大規(guī)模的需求。”
傳統(tǒng)上,服務(wù)器依賴DDR ECC(糾錯碼)內(nèi)存以保證可靠性,而英偉達(dá)選擇轉(zhuǎn)向使用 LPDDR,以實現(xiàn)更低的功耗,并將糾錯邏輯轉(zhuǎn)移到CPU側(cè),而非依賴 DDR5 ECC。
目前的短缺主要出現(xiàn)在中低端智能手機(jī)市場,對經(jīng)濟(jì)型智能手機(jī)制造商造成了沖擊。“但這種影響很可能會向整個智能手機(jī)與消費電子生態(tài)系統(tǒng)蔓延。”
高級分析師Ivan Lam表示,“我們所看到的是智能手機(jī)BOM成本的顯著攀升,部分機(jī)型的漲幅可能達(dá)15%。這將波及核心的中高端市場,進(jìn)一步壓縮利潤率或拖累增長,甚至很可能兩者同時發(fā)生。”
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