三星NAND閃存新突破！功耗狂降達 96%

發布時間：2025-11-28 20:41:25 來源：企業錄(www.qy6.com)-公司信息發布,網上買賣交易門戶 作者：熱點

11月27日消息，存新據媒體報道，突破當地時間27日，功耗三星電子旗下SAIT（原三星先進技術研究院）宣布，狂降已在《自然》上發表一項關于新型NAND Flash結構的存新研究成果。

據這篇名為《用于低功耗NAND閃存的突破鐵電晶體管》的論文介紹，該研究通過創新融合鐵電材料與氧化物半導體，功耗全球首次明確了可將NAND閃存功耗較現有技術降低 96% 的狂降核心機制。

值得一提的存新是，這項新研究有望提升包括人工智能數據中心和移動設備在內的突破各個領域的能效。

據了解，功耗NAND閃存是狂降一種非易失性存儲介質，即使斷電亦可長期保存大量數據，存新其工作原理是突破通過向存儲單元注入電子實現數據寫入。

為提升存儲密度，功耗業界普遍采用堆疊更多存儲層的方式構建芯片，但這同時也顯著增加了數據讀寫過程中的能耗，尤其在大規模數據中心場景中，功耗問題已成為亟待解決的關鍵瓶頸。

而三星研究團隊上述成果攻克了這一難題。

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