12月9日消息,海力據Trendforce報道,士加速推閃存SK海力士確認將于2027年初量產第十代V10 NAND閃存,進超核心突破在于首次采用300+層堆疊架構并集成混合鍵合技術(Hybrid Bonding)。層V產
該技術通過將存儲陣列晶圓與外圍電路晶圓分別制造后垂直鍵合,目標形成單一高性能單元,年量顯著提升產品良率、海力數據傳輸效率及生產效益。士加速推閃存
此舉顛覆了行業技術路線預期——此前業界普遍認為混合鍵合技術需至400層堆疊階段才會啟用。進超
SK海力士選擇在300層節點提前商業化部署,層V產旨在加速確立存儲技術領導地位,目標應對AI及數據中心市場對高密度閃存的年量迫切需求。
同步披露的海力產能動態顯示,受企業級固態硬盤(eSSD)需求激增驅動,士加速推閃存其第九代NAND閃存產線已接近滿載。進超SK海力士正積極擴大現有產品供應規模,為下一代技術量產前的市場過渡期提供支撐。


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