12月12日消息，麒麟權威半導體機構TechInsights研究后認為，采用華為最新發布的中芯麒麟9030系列處理器，已經用上了中芯國際最新的國際光刻5nm級工藝，官方稱之為“N+3”。藝沒用

相比于之前的麒麟N+2 7nm級工藝，中芯國際實現了一次全新的采用跨越，并且顯然已經投入量產，中芯可以滿足華為Mate 80系列等產品的國際光刻大規模供貨需求。

TechInsights還確認，藝沒用中芯國際5nm級工藝沒有使用EUV極紫外光刻，麒麟而是采用依然使用DUV深紫外光刻，殊為不易。中芯

盡管如此，國際光刻中芯國際依然面臨諸多嚴峻挑戰，藝沒用尤其是受限于金屬間距的大幅縮減，良品率必然不會很高，甚至虧損生產。

當然，這方面不可能有官方的或者確切的數據，只能猜測。

目前性能最好的DUV浸沒式光刻也只能做到193nm波長，EUV光刻則能達到13.5nm，差距是非常大的。

考慮到DUV光刻使用單次曝光只能實現38nm以下的分辨率，TechInsights認為中芯國際大概率對現有設備進行了優化挖潛，將單次曝光的分辨率提升至35nm左右，并通過多次曝光完成整個芯片電路的蝕刻。

事實上，自對準四重曝光(SAQP)等多重曝光技術已經應用多年，華為去年也公布了一份四重曝光技術專利，因此中芯國際在5nm級工藝上使用此類技術是十分合理的。

今年9月，中芯國際曾測試過上海御良昇科技自主研發的一款DUV浸沒式光刻機。

資料顯示，這款國產光刻機定位為28nm級工藝設備，技術水平與ASML 2008年左右的雙工件臺光刻機相近。

不過，TechInsights認為，中芯國際難以在短期內實現技術突破，這款國產設備不太可能用于麒麟9030系列的量產，因此中芯國際5nm級工藝大概率仍基于ASML DUV光刻機完成。

值得一提的是，著名投行高盛之前曾在一份報告中稱，中國的國產光刻機只能生產65nm工藝的芯片，相比國際巨頭ASML落后足足有大約20年，不過他們當時認為中芯國際只能量產7nm級工藝。