8000Mbps！長鑫國產DDR5內存重磅發布 專家：中國技術與韓國差距消失

發布時間：2025-11-28 14:39:34 來源：企業錄(www.qy6.com)-公司信息發布,網上買賣交易門戶 作者：時尚

11月25日消息，長鑫存重近日，國產國技國差長鑫存儲在IC China 2025（中國國際半導體博覽會）上，磅發布專正式發布最新的家中距消DDR5和LPDDR5X產品，挑戰韓美先進存儲大廠。術韓失

據長鑫介紹，長鑫存重最新DDR5系列最高速率達8000Mbps，國產國技國差最高顆粒容量24Gb，磅發布專均達到國際領先水平，家中距消并同步推出覆蓋服務器、術韓失工作站及個人電腦全領域的長鑫存重七大模組產品。

此外，國產國技國差長鑫還展示了上個月已經發布的磅發布專LPDDR5X產品。該系列針移動市場旗艦產品，家中距消最高速率 10667Mbps，術韓失最高顆粒容量 16Gb，并涵蓋 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多種封裝解決方案。

今年稍早時，市場曾出現由中國企業生產的少量DDR5內存，但這次是長鑫存儲作為代表，首度正式展示實際產品。

半導體產業指出，長鑫存儲展示內存性能值得關注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代產品（6400 Mbps）提升25%，在技術路線上至少已追上韓國公司。 業界人士認為，長鑫存儲的性能足以應用于搭載最先進CPU的服務器。

根據韓媒 Business Korea引述日經及研調機構Counterpoint Research的數據，長鑫存儲第三季DRAM市占率達8%，排名第四。 在NAND部分，長江存儲第三季度市占率為13%。

由于美國封鎖EUV等關鍵設備出口中國，使得中國擴張腳步放緩，但與韓國在通用DRAM市場的技術差距約不到一年。

韓媒認為，隨著2030年迎來3D DRAM時代，競爭關系可能又會出現變數。3D DRAM是將內存單元向上堆疊的產品，當3D DRAM時代來臨時，對EUV光刻設備的需求將下降，這可能成為中國企業超車的機會。

首爾大學材料科學與工程系Hwang Cheol-seong教授表示，單看內存技術水平，韓國與中國的差距幾乎已經消失。 當不需要EUV光刻設備的3D DRAM時代在五年后到來時，中國將進一步崛起。

相關文章