12月8日消息，存儲據財聯社報道，現貨存儲芯片市場正經歷罕見的年內“超級漲價周期”，DRAM顆粒年內漲幅超4倍、漲超Flash價格翻近3倍。倍手

疊加AI服務器需求擠占產能，機廠將被消費級存儲供給持續收縮，庫存下游終端廠商陷入低庫存被動補庫困境，跌至低位未來消費電子將出現“價格更高、歷史容量更小”的迫減配漲市場格局。

據酷賽智能透露，存儲4GB DDR4x顆?，F貨價從年初7美金漲至11月中旬30美金以上，現貨漲幅達4-5倍；64GB eMMC從3.2美金漲至8美金以上，年內Flash類產品整體漲幅近3倍。漲超

11月初閃迪宣布漲價50%，倍手三星部分產品跟進漲價超60%，短時間內大幅漲價超出行業預期。

甚至美光宣布終止旗下消費級品牌英睿達的內存與SSD業務，將資源聚焦于AI驅動的高增長數據中心領域，全力沖擊高利潤AI存儲。

這也導致目前智能手機廠商存儲庫存水位普遍在4周以下，遠低于8-10周的健康水平。

分析機構表示，這并非手機廠商主動去庫存，而是因年初需求預期保守未及時補庫，且當前現貨價格過高、貨源緊缺，只能被動接受高價補庫。

未來手機部分主流配置可能會從12GB+512GB重新轉向8GB/12GB+256GB，終結此前存儲容量持續翻倍的趨勢，同時漲價也是不可避免的選項。

小米集團總裁盧偉冰此前在業績電話會上曾公開表示，內存成本的飆升已經到了“提高手機價格無法完全抵消”的地步，預計明年產品零售價格可能會有較大幅度上漲。