12月7日消息，拒絕膠前不久日本斷供光刻膠的日本消息引發(fā)關(guān)注，雖然日本方面否認(rèn)了傳聞，卡脖但在光刻膠領(lǐng)域，韓國海力化日本公司確實(shí)卡了大部分半導(dǎo)體公司的國產(chǎn)光刻脖子。

尤其是拒絕膠在先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域，目前主要掌握在日本JSR、日本信越化學(xué)、卡脖東京應(yīng)化TOK等公司手中，韓國海力化前幾年日本與韓國爆發(fā)爭端之后，國產(chǎn)光刻日本就停止過對(duì)韓出口光刻膠等三種關(guān)鍵材料。拒絕膠

這幾年中韓國也一直在加大對(duì)半導(dǎo)體核心技術(shù)與材料的日本國產(chǎn)化，之前有說法稱韓國已經(jīng)解決了EUV光刻膠，卡脖實(shí)際上并不是韓國海力化，所謂的國產(chǎn)光刻解決只是日本公司為了繞過政策限制，對(duì)韓出口從本土改為海外公司供貨而已，韓國三星、SK海力士等公司依然依賴日本公司EUV光刻膠供應(yīng)。

相比三星，SK海力士主要是生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，此前對(duì)EUV光刻膠需求不算高，但是隨著工藝的提升，內(nèi)存芯片也要大量使用EUV光刻工藝，為此他們也聯(lián)合韓國的東進(jìn)世美肯公司合作開發(fā)EUV光刻膠。

雙方合作的產(chǎn)品目標(biāo)不僅是取代日本公司的EUV光刻膠，而且還要在性能上超越日本產(chǎn)品，特別是光敏性，以便提高生產(chǎn)效率。

光刻膠的光敏性越強(qiáng)，所需的曝光時(shí)間就會(huì)越短，因此生產(chǎn)效率會(huì)更高，即便是同樣的EUV光刻機(jī)，先進(jìn)EUV光刻膠生產(chǎn)能力也是不同的。

隨著內(nèi)存芯片不斷逼近10nm甚至在10nm以下，所需的EUV光刻層數(shù)也在不斷增加，第七代1d工藝已經(jīng)需要7層EUV了，未來只會(huì)繼續(xù)增加。