內(nèi)存漲價的數(shù)碼說再持續(xù)時間及烈度，可能被所有人低估了。產(chǎn)品
據(jù)科技媒體Wccftech報道，和們一份源于SK海力士內(nèi)部會議的數(shù)碼說再文件表示，全球DRAM供不應(yīng)求的產(chǎn)品情況預(yù)計持續(xù)到2028年底。
這個判斷著實是和們遠(yuǎn)超出了行業(yè)此前的預(yù)期，比如在上個月的數(shù)碼說再小米三季度財報電話會議上，盧偉冰就曾表示，產(chǎn)品現(xiàn)在各家（手機廠商）普遍承受著源自存儲芯片成本的和們壓力，而且明年的數(shù)碼說再產(chǎn)品零售價還會有較大幅度上漲，直到2027年，產(chǎn)品這種供需失衡的和們問題才有望扭轉(zhuǎn)。
盧偉冰提到的數(shù)碼說再“2027年”，實際上也是產(chǎn)品目前行業(yè)普遍認(rèn)為存儲周期逆轉(zhuǎn)的時間節(jié)點。
原因在于，和們?nèi)髢?nèi)存廠商的新增產(chǎn)能基本都在2024年上半年開始布局。按照存儲行業(yè)“3個月規(guī)劃——12個月廠房建設(shè)——12個月設(shè)備調(diào)試——6個月產(chǎn)能與良率爬坡”的一般規(guī)律，最遲到2027年上半年，這波新增的DRAM產(chǎn)能就會投放到市場中，從而使價格周期反轉(zhuǎn)。
但SK海力士的這份報告無疑表明，即便是等到新增DRAM產(chǎn)能釋放，也完全不足以抵消掉市場需求。
那么內(nèi)存市場如此嚴(yán)重的供需錯配，根源究竟在哪里？對于普通消費者來說，又會帶來什么樣的持續(xù)性影響？
誰在搶奪DRAM？
我們用一類最有代表性的產(chǎn)品——電腦內(nèi)存條，去看下DRAM在今年的漲價幅度。
在今年年初，DDR5 16GB（5600MHz）內(nèi)存條在電商平臺的報價在300元左右，而當(dāng)前同規(guī)格內(nèi)存條的電商平臺價格最低為899元，相當(dāng)于在不到一年的時間里，價格上漲了200%。
手機上的LPDDR價格，由于廠商有穩(wěn)定的備貨周期和合約價格，漲幅會好一些，但根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，今年Q4 LPDDR5X的價格環(huán)比年初也上漲了83%。
價格上漲源于供需失衡，那么市場需求為什么會如此旺盛？一句話總結(jié)：AI芯片需求暴漲疊加大模型進入推理階段的結(jié)果。
分階段來看，自2023年開始，AI芯片需求暴增，而在最常見的GPU加速卡中，HBM存儲顆粒的BOM成本要占到一半以上，這讓SK海力士這類DRAM廠商賺得盆滿缽滿的同時，也開始主動調(diào)整產(chǎn)能分配，去生產(chǎn)附加值更高的HBM芯片。
這就導(dǎo)致應(yīng)用在消費電子及傳統(tǒng)服務(wù)器領(lǐng)域的DDR內(nèi)存供給減少，因此價格開始一路飆升。
當(dāng)然，如果只是調(diào)整部分產(chǎn)能到HBM上，DDR的價格上漲可能還不會失控，畢竟消費電子和傳統(tǒng)服務(wù)器側(cè)，實際上是DRAM廠商更穩(wěn)定的收入來源。
但問題是，當(dāng)大模型進入推理階段后，AI芯片廠商發(fā)現(xiàn)，在某些場景下，好像也沒必要去買昂貴的HBM芯片了，原本在GPU加速卡中作為輔助存儲的DDR內(nèi)存同樣可以勝任。
比如在上下文推理任務(wù)中，HBM芯片能提供的超高瞬時帶寬完全用不上，相反該場景更看重內(nèi)存總?cè)萘康膯栴}，DDR內(nèi)存很符合這一特性，既沒有冗余的瞬時帶寬，也可以利用多通道靈活擴展總?cè)萘俊?/p>
另外，由于推理場景大多涉及運營成本的問題，因此用于推理的芯片格外注重成本與功耗問題。
所以可以看到，即便是英偉達這個全球HBM消耗量最大的企業(yè)，今年也推出了專用于處理超長上下文的Rubin CPX芯片——由于其大范圍使用DDR內(nèi)存，成本要比目前的Blackwell系列芯片便宜得多。
而且考慮到視頻、編程這類常見的需要超長上下文窗口的應(yīng)用需求旺盛，未來這類依靠DDR打造的芯片恐怕只增不減。
結(jié)構(gòu)優(yōu)化后，誰來買單？
按照SK海力士內(nèi)部推算，DRAM供需關(guān)系的緊張將持續(xù)未來三年，那么作為普通消費者，會受到什么樣的影響？
最直觀的，就是包括手機電腦在類的五花八門數(shù)碼產(chǎn)品價格會普遍上漲，而且上漲的幅度無法預(yù)測。
過去消費電子廠商普遍在內(nèi)存周期下，用鎖長約的方式去壓低存儲芯片的采購價格，但在AI芯片廠商面前，DDR內(nèi)存價格波動可能就“不算事”。
上文中我們提到了，針對涉及上下文窗口的推理場景，完全可以使用DDR內(nèi)存去替代HBM芯片，那么兩者價格差了多少呢？比如在同一枚芯片中，HBM3e的每GB成本大概是10-17美元，而DDR5的每GB成本大概在1.5-2.2美元。
那么對于存儲廠商來說，下一輪新增的DDR產(chǎn)能該優(yōu)先供給哪一側(cè)就很明顯了。
而對于消費電子廠商而言，在面對“史上最長內(nèi)存價格周期”時，如果是一味地漲價也解決不了問題，大概率都會采用優(yōu)化出貨結(jié)構(gòu)的方式，去平衡內(nèi)存成本壓力，比如減少中低端產(chǎn)品系列出貨，提高高端產(chǎn)品或旗艦產(chǎn)品的出貨比例。
因此，未來幾年，一個肉眼可見的趨勢，大概就是“相對平價”的電子產(chǎn)品在市面上將會愈發(fā)減少。
即便是到了2028年底，SK海力士預(yù)測的DRAM供需反轉(zhuǎn)會發(fā)生，之前那種“性價比”產(chǎn)品可能也不會第一時間回到市場。
一方面，存儲價格波動向下游傳導(dǎo)需要時間；另一方面，回歸過去的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，這既不符合廠商利益，也不符合行業(yè)發(fā)展規(guī)律。
