12月17日消息，星宣型內(nèi)據(jù)The 布突Elec報道，三星宣布與三星先進技術研究所已成功開發(fā)出一種新型晶體管，術新能夠?qū)崿F(xiàn)在10納米以下制程節(jié)點生產(chǎn)DRAM。存容
這一突破有望解決移動內(nèi)存進一步微縮所面臨的量性關鍵物理挑戰(zhàn)，為未來設備帶來更高的星宣型內(nèi)容量與性能表現(xiàn)。
傳統(tǒng)DRAM制程的布突微縮在進入10納米以下節(jié)點后，因物理極限而面臨嚴峻挑戰(zhàn)。術新
三星此次推出的存容“高耐熱非晶氧化物半導體晶體管”具備極佳的高溫穩(wěn)定性，可在高達攝氏550度的量性條件下保持性能不衰退，從而適應先進制造工藝的星宣型內(nèi)要求。
該晶體管采用垂直溝道設計，布突溝道長度僅為100納米，術新且可與單片CoP DRAM架構集成。存容測試結(jié)果顯示，量性其漏極電流表現(xiàn)穩(wěn)定，在長期老化測試中也保持了良好的可靠性。
三星表示，該技術計劃應用于未來的0a與0b級別DRAM產(chǎn)品中，目前仍處于研究階段。
預計搭載該技術的存儲芯片將有助于三星在高密度內(nèi)存市場保持競爭力，并有望于2026年起陸續(xù)應用于終端設備中。