12月17日消息，星宣型內據The 布突Elec報道，三星宣布與三星先進技術研究所已成功開發(fā)出一種新型晶體管，術新能夠實現(xiàn)在10納米以下制程節(jié)點生產DRAM。存容
這一突破有望解決移動內存進一步微縮所面臨的量性關鍵物理挑戰(zhàn)，為未來設備帶來更高的星宣型內容量與性能表現(xiàn)。
傳統(tǒng)DRAM制程的布突微縮在進入10納米以下節(jié)點后，因物理極限而面臨嚴峻挑戰(zhàn)。術新
三星此次推出的存容“高耐熱非晶氧化物半導體晶體管”具備極佳的高溫穩(wěn)定性，可在高達攝氏550度的量性條件下保持性能不衰退，從而適應先進制造工藝的星宣型內要求。
該晶體管采用垂直溝道設計，布突溝道長度僅為100納米，術新且可與單片CoP DRAM架構集成。存容測試結果顯示，量性其漏極電流表現(xiàn)穩(wěn)定，在長期老化測試中也保持了良好的可靠性。
三星表示，該技術計劃應用于未來的0a與0b級別DRAM產品中，目前仍處于研究階段。
預計搭載該技術的存儲芯片將有助于三星在高密度內存市場保持競爭力，并有望于2026年起陸續(xù)應用于終端設備中。